TSMC احتمالاً فرایند تحقیق و توسعه لیتوگرافی 1.4 نانومتری را از ماه آینده آغاز میکند
خواندنی ها
بزرگنمايي:
پیام ویژه - زومیت / شایعهی جدیدی میگوید TSMC با تیمی متشکل از متخصصان زبده قصد دارد از ماه آیندهی میلادی روند تحقیق و توسعهی لیتوگرافی 1.4 نانومتری را آغاز کند.
در کارخانههای تولید پردازنده، فرایند تحقیق و توسعه هیچگاه متوقف نمیشود. اکنون که TSMC گفته تولید ویفرهای مبتنیبر لیتوگرافی دو نانومتری را در سال 2025 وارد مرحلهی انبوه میکند، وقتش رسیده این شرکت تایوانی به فکر لیتوگرافی پیشرفتهتر از آن باشد. اگر شایعهی جدید حقیقت داشته باشد، تی اس ام سی در ماه آیندهی میلادی رسماً فرایند تحقیق و توسعهی لیتوگرافی 1٫4 نانومتری را آغاز خواهد کرد.
براساس آنچه Tom"s Hardware به نقل از Business Korea مینویسد، تی اس ام سی تصمیم گرفته اعضای تیمی را که مسئول توسعهی لیتوگرافی سه نانومتری بودند مجدداً گرد هم بیاورد تا از تخصص آنها برای آغاز فرایند توسعهی لیتوگرافی 1٫4 نانومتری استفاده کند.
کارخانهها و شرکتهای طراح تراشه بهطور معمول به پروژههای تحقیق و توسعهی خود اشاره نمیکنند، بنابراین دور از انتظار است که TSMC در ماه آینده در قالب بیانیهای رسمی از آغاز توسعهی نود پردازشی 1٫4 نانومتری خبر دهد. TSMC در اواسط ماه آیندهی میلادی (حدوداً اواخر خرداد) کنفرانس جدیدی برگزار میکند. ممکن است در آن مراسم شاهد اشاراتی کوتاه به لیتوگرافی بعد از N2 باشیم.
روند استاندارد توسعهی لیتوگرافیهای جدید شامل فرایندی تحت عنوان مسیریابی و سپس آغاز مراحل تحقیق و توسعه میشود. مرحلهی اول معمولاً مواردی مثل تهیهی مواد اولیه و بررسی قوانین فیزیک را در بر میگیرد و بهطور همزمان برای چند لیتوگرافی انجام میشود.
این مرحله برای لیتوگرافی N2 به پایان رسیده و بههمیندلیل، تیمهای متخصص در حوزهی فیزیک و شیمی فرصت دارند تا روی لیتوگرافی بعدی کار کنند. این لیتوگرافی جدید احتمالاً 1٫4 نانومتری یا 14 آنگسترومی نام خواهد گرفت.
لیتوگرافی N2 شرکت TSMC متکیبر ترانزیستورهای GAAFET است بااینحال از سیستمهای EUV 0.33 NA برای تولید آن استفاده خواهد شد. با در نظر گرفتن اطلاعات منتشرشده دربارهی N2 احتمال دارد نسخهی بعدی آن نیز همچنان از ترانزیستورهای GAA استفاده کند. نکتهی مهمتر این است که شاید در روند تولید لیتوگرافی 1٫4 نانومتری شاهد استفاده از سیستمهای EUV High-NA باشیم.
فراموش نکنید تولید انبوه ویفرهای دو نانومتری TSMC در اواخر سال 2025 آغاز میشود، بنابراین پیشبینی میکنیم اولین تراشههای مبتنیبر این لیتوگرافی در سال 2026 به دستگاههای هوشمند راه پیدا کنند.
TSMC بهطور معمول هر دو و نیم تا سه سال یکبار لیتوگرافی جدیدی روی کار میآورد. بدین ترتیب احتمالاً اولین محصولات مجهز به پردازندهی 1٫4 نانومتری TSMC در سال 2028 به دست مشتریان خواهند رسید. با در نظر گرفتن زمان روی کار آمدن این لیتوگرافی، استفاده از سیستمهای گرانقیمت و پیشرفتهی EUV High-N برای تولید ویفرهای 1٫4 نانومتری ضروری به نظر میرسد. اینتل قصد دارد از سال 2025 به بعد سراغ استفاده از این سیستمهای تولیدی برود.
فعلاً مشخص نیست اینتل با کدامیک از لیتوگرافیهایش قصد دارد سراغ رقابت با لیتوگرافی 1٫4 نانومتری TSMC برود. گفته میشود تیم آبی در سال 2025 لیتوگرافی 1٫8 نانومتری (18A) را معرفی میکند. این یعنی اینتل احتمالاً تا سال 2028 حداقل یک لیتوگرافی جدیدتر دارد. شاید لیتوگرافی جدیدتر 16A یا 14A نام بگیرد.
-
يکشنبه ۱ خرداد ۱۴۰۱ - ۰۶:۳۴:۰۱
-
۱۳ بازديد
-
-
پیام ویژه
لینک کوتاه:
https://www.payamevijeh.ir/Fa/News/834459/